德國FESTO光電傳感器價格好，費斯托光電傳感器介紹：
費斯托光電式傳感器在受到可見光照射后即產(chǎn)生光電效應，將光信號轉換成電信號輸出。它除能測量光強之外，還能利用光線的透射、遮擋、反射、干涉等測量多種物理量，如尺寸、位移、速度、溫度等，因而是一種應用極廣泛的重要敏感器件。光電測量時不與被測對象直接接觸,光束的質量又近似為零,在測量中不存在摩擦和對被測對象幾乎不施加壓力。因此在許多應用場合，光電式傳感器比其他傳感器有明顯的*性。其缺點是在某些應用方面，光學器件和電子器件價格較貴，并且對測量的環(huán)境條件要求較高。
德國FESTO光電傳感器價格好，光電效應它是光照射到某些物質上，使該物質的電特性發(fā)生變化的一種物理現(xiàn)象，可分為外光電效應和內(nèi)光電效應兩類。外光電效應是指，在光線作用下物體內(nèi)的電子逸出物體表面向外發(fā)射的物理現(xiàn)象。光子是以量子化“粒子"的形式對可見光波段內(nèi)電磁波的描述。光子具有能量hv，h為普朗克常數(shù)，v為光頻。光子通量則相應于光強。外光電效應由愛因斯坦光電效應方程描述：
hv=1/2*mv0的平方式中m為電子質量，v0為電子逸出速度。當光子能量等于或FESTO光電式傳感器SIES-Q8B-NO-S-L
大于逸出功時才能產(chǎn)生外光電效應。因此每一種物體都有一個對應于光電效應的光頻閾值，稱為紅限頻率。對于紅限頻率以上的入射光，外生光電流與光強成正比。內(nèi)光電效應又分為光電導效應和光生伏打效應兩類。光電導效應是指，半導體材料在光照下禁帶中的電子受到能量不低于禁帶寬度的光子的激發(fā)而躍遷到導帶，從而增加電導率的現(xiàn)象。能量對應于禁帶寬度的光子的波長稱光電導效應的臨界波長。光生伏打效應是指光線作用能使半導體材料產(chǎn)生一定方向電動勢的現(xiàn)象。光生伏打效應又可分為勢壘效應（結光電效應）和側向光電效應。勢壘效應的機理是在金屬和半導體的接觸區(qū)(或在PN結)中，電子受光子的激發(fā)脫離勢壘（或禁帶）的束縛而產(chǎn)生電子空穴對，在阻擋層內(nèi)電場的作用下電子移向N區(qū)外側，空穴移向P區(qū)外側，形成光生電動勢。側向光電效應是當光電器件敏感面受光照不均勻時，受光激發(fā)而產(chǎn)生的電子空穴對的濃度也不均勻，電子向未被照射部分擴散，引起光照部分帶正電、未被光照部分帶負電的一種現(xiàn)象。分類基于外光電效應的光電敏感器件有光電管和光電倍增管?；诠怆妼挠泄饷綦娮琛；趧輭拘挠泄怆姸O管和光電三極管(見半導體光敏元件)?；趥认蚬怆娦挠蟹崔D光敏二極管。光電式傳感器還可按信號形式分為模擬式光電傳感器(見位移傳感器)和數(shù)字式光電傳感器（見轉速傳感器、光柵式傳感器、數(shù)字式傳感器）。光電式傳感器還有光纖傳感器、固體圖像傳感器等。
光電式傳感器的制造工藝也隨薄膜工藝、平面工藝和大規(guī)模集成電路技術的發(fā)展而達到很高的水平，并使產(chǎn)品的成本大為降低。被稱為新一代攝像器件的聚焦平面集成光敏陣列正在取代傳統(tǒng)的掃描攝像系統(tǒng)。光電式傳感器的發(fā)展方向是采用有機化學汽相沉積、分子束外延、單分子膜生長等新技術和異質結等新工藝。光電式傳感器的應用領域已擴大到紡織、造紙、印刷、、環(huán)境保護等領域。在紅外探測、輻射測量、光纖通信，自動控制等傳統(tǒng)應用領域的研究也有新發(fā)展。例如，硅光電二極管自校準技術的提出為光輻射的測量提供了一種很有前途的新方法。
，費斯托光電傳感器常用型號：
174548電感式傳感器SIES-Q5B-NO-K-L
174549電感式傳感器SIES-Q5B-PO-K-L
174550電感式傳感器SIES-Q8B-NO-K-L
174551電感式傳感器SIES-Q8B-NO-S-L
174552電感式傳感器SIES-Q8B-PO-K-L
174553電感式傳感器SIES-Q8B-PO-S-L
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174802腳架安裝件HSA-16-2
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174804腳架安裝件HSA-25-2
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174815平行氣爪HGP-06-A
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